半導體外延爐的真空值基本要求其使用性能的關鍵指標之一，詳細如下：
一、真空值范疇
基本規定
半導體外延爐的波導管需達到幾千分之一毫巴（10?3 mbar）至幾十億分之一毫巴（10?? mbar）的真空值范疇，以獲取高均勻度、低污染的液相自然環境。
高真空區域（10?3~10?? Torr，約1.3×10?3~1.3×10?? mbar）：用以基本外延生長，保證分子結構碰撞頻率減少，降低殘渣影響。
超高真空地區（<10?? Torr，約<1.3×10?? mbar）：適用于對原材料純凈度要求極高的情景（如彈性散射厚度超層析生長發育）。
單位轉換與范疇配對
不一樣資料中真空度單位很有可能選用Torr或毫巴（1 mbar≈0.75 Torr），應根據加工工藝要求統一計算后選擇適合的范疇。
二、技術進行
傳統式真空設備：選用真空泵和分子泵組成，適用超高真空要求（10??~10?? mbar）。
新式技術性：超高真空技術性（如離子泵、低溫泵）：適用10?? mbar以內的極限真空，用以高精密外延性加工工藝。
光泵技術性：根據激光器制冷提升真空泵可靠性，降低汽體殘余。
三、設計和制造主要因素
材料種類
真空腔體需采用三氧化二鋁、氧化鋯陶瓷或石英石等低放空氣率原材料，保證長期性真空泵可靠性。
密封性設計方案
包含密封性插口、閥門和法蘭的提升，防止微漏汽造成真空值起伏。
進風口與廢氣操縱
調節反應氣體壓力（如SiH?、H?），保持生存環境的液相均勻度。
四、系統軟件性能參數
極限真空
系統能實現的少工作壓力（如<10?? mbar），直接關系外延片缺點密度外表粗糙度。
抽氣速率
確定實現目標真空值所需要的時間，需結合室容積制造工藝周期時間全方位設計。