溫度控制：溫度是半導(dǎo)體外延爐中外延生長(zhǎng)過(guò)程的重要參數(shù)，它直接影響化學(xué)反應(yīng)速度、原子擴(kuò)散速率，以及外延層的晶體結(jié)構(gòu)和質(zhì)量。不同的外延技術(shù)和材料對(duì)溫度的要求各不相同，因此需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行嚴(yán)格控制。例如，在硅的外延生長(zhǎng)過(guò)程中，如果處于高溫區(qū)域，外延過(guò)程主要受質(zhì)量傳輸?shù)挠绊懀藭r(shí)外延層的生長(zhǎng)速率隨著溫度的升高而緩慢增加；而在低溫區(qū)域，外延過(guò)程則由表面反應(yīng)主導(dǎo)，外延層的生長(zhǎng)速率會(huì)隨著溫度的升高而呈線性增加。
合理選擇氣體流量及其比例：硅單晶的外延生長(zhǎng)速率通常會(huì)隨著氣體與載氣比例的變化先增加后下降，因此存在一個(gè)的生長(zhǎng)速率。這個(gè)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的氣體與載氣比例與氣體類(lèi)型等多個(gè)因素有關(guān)。同時(shí)，硅單晶的外延生長(zhǎng)速率會(huì)隨著氣體流量的增加而持續(xù)上升，但當(dāng)流量達(dá)到某個(gè)臨界值后，生長(zhǎng)速率將趨于飽和，表現(xiàn)出的增加幅度不再明顯。
考慮壓力的影響：壓力在外延生長(zhǎng)過(guò)程中對(duì)氣體傳輸、化學(xué)反應(yīng)和薄膜質(zhì)量等方面具有重要作用。選擇合適的壓力條件可以?xún)?yōu)化外延工藝，從而提高半導(dǎo)體外延爐中外延層的質(zhì)量和均勻性。